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        國家“核高基”科技重大專項“DDR3動態隨機存儲器產品研發及產業化”課題順利通過驗收日期:2017-03-29 瀏覽次數:

        2017年32728日,由公司牽頭,聯合上海瀾起和清華大學承擔的2013年核高基科技重大專項 “DDR3動態隨機存儲器產品研發及產業化”課題正式驗收會在濟南隆重召開,公司總裁高傳貴全程參加此次會議。

        本次驗收會由工信部核高基重大專項辦衣豐濤處長主持,驗收專家組由原信息產業部產品司司長鄭敏政、工信部電子四院陳大為研究員、北京華大九天軟件有限公司總經理劉偉平、北京電子技術研究所原所長楠亞丁、北方信息安全技術中心主任郭晉、中國科學院自動化研究所研究員王東琳、國家集成電路產業投資基金股份有限公司高級工程師張晉民、中科院聲學所研究員洪纓、山東大學教授王卿璞、課題責任專家李云崗總工,工信部派出的財務專家組共15位業界專家組成。山東省經信委電子信息處處長李英峰、山東省科技廳重大專項辦公室徐峰處長等領導出席本次驗收會議。

        高總作為課題負責人作了全面項目實施情況和成果匯報。課題內部首席專家任奇偉,分課題負責人韓曉梅、潘立陽、程飛,課題財務負責人宮友邦等課題主要管理人員、技術人員和財務人員以及用戶龍芯、浪潮派代表參加驗收會。

        正式驗收會現場


        整個1天半的驗收過程中,專家組認真聽取了課題負責人高傳貴關于整個課題實施完成情況的匯報,詳細觀看了課題成果有關實物展示,任務驗收組和財務驗收組分別對任務和財務執行情況進行了嚴格審查,經過專家組認真詢問、討論,專家組對課題進行評價打分,課題最終以高分通過驗收。

        任務驗收專家組查看芯片和全國產解決方案成果展示



        驗收會專家領導與課題組主要人員合影留念


        在“核高基”重大專項的支持下,華芯歷時三年研發,克服重重困難,研發出了國內首款第三代動態隨機存儲器芯片。課題突破了DDR3芯片架構設計、高可靠高性能單元陣列設計、高頻多電壓調整電路設計、高速輸入輸出接口電路設計、可測性和可配置功能電路設計、高速數據通路和全局控制電路設計、可配置輸出驅動能力和高性能動態片內終結器等關鍵技術,實現38nm DRAM工藝的流片和量產,并超額完成產業化指標。課題共申請中國發明專利25項、美國專利3項、PCT專利2項、集成電路布圖登記2項、發表論文6篇。取得了一系列具有自主知識產權的成果。

        通過本課題實施,我國在第三代動態隨機存儲器和內存緩沖控制器芯片上打破國外壟斷,壯大了研發及產業化隊伍,進一步增強了我國存儲器產業的技術創新能力,為我國存儲器領域的技術創新和持續發展奠定了重要基礎。

        課題成果DRAM芯片和MB芯片實現成功量產,并批量應用于服務器、計算機、平板、行車記錄儀、機頂盒、工控機等數十款整機產品,成功與國產CPU和整機廠商形成了緊密配合,發展長大了全國產計算機生態體系,提升了我國自主可控產業支撐能力。內存芯片作為與CPU芯片同等重要的芯片,通過國家核高基重大專項的布局實施,有力支撐了國家集成電路產業戰略,為我國存儲器產業鏈的持續創新發展和國家發展自主可控的存儲器產業鏈一系列規劃和重大布局,都形成了積極的影響和重要的促進作用。


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